大日本網(wǎng)屏制造與岐阜大學(xué)開發(fā)出了能夠以非破壞性方式，對(duì)構(gòu)成薄膜硅型太陽(yáng)能電池的非晶硅膜薄膜特性進(jìn)行解析的技術(shù)。將在2010年秋季作為大日本網(wǎng)屏制造的分光Ellipso式膜厚測(cè)定裝置“RE-8000”系列的選配功能實(shí)際應(yīng)用。雙方從2008年11月就開始共同開發(fā)薄膜硅型太陽(yáng)能電池評(píng)測(cè)技術(shù)。

薄膜硅型太陽(yáng)能電池大多重疊非晶硅膜和微晶硅膜后使用。其中，非晶硅膜存在的課題是照射光線后會(huì)劣化，從而導(dǎo)致光電轉(zhuǎn)換效率降低。光劣化的原因是在非晶硅膜成膜時(shí)導(dǎo)入的過(guò)量氫。在制造薄膜硅型太陽(yáng)能電池時(shí)，一直對(duì)以非破壞性方式來(lái)分析氫含量從而控制光劣化的技術(shù)存在需求。

大日本網(wǎng)屏制造與岐阜大學(xué)開發(fā)出了測(cè)定SiH和SiH2等，從而可以掌握氫含量及其分布的技術(shù)。測(cè)定中采用了現(xiàn)有分光Ellipso式膜厚測(cè)定裝置的硬件。向現(xiàn)有的膜厚測(cè)定裝置中導(dǎo)入軟件，便可以在測(cè)定膜厚的同時(shí)分析氫含量。另外，用于氫含量分析的追加費(fèi)用等尚未確定。

大日本網(wǎng)屏制造將在2010年6月30日～7月2日于太平洋橫濱會(huì)展中心舉行的太陽(yáng)能電池展會(huì)“PVJapan2010”上，利用展板展示配備了此次技術(shù)的分光Ellipso式膜厚測(cè)定裝置。