大日本網(wǎng)屏制造與岐阜大學開發(fā)出了能夠以非破壞性方式，對構成薄膜硅型太陽能電池的非晶硅膜薄膜特性進行解析的技術。將在2010年秋季作為大日本網(wǎng)屏制造的分光Ellipso式膜厚測定裝置“RE-8000”系列的選配功能實際應用。雙方從2008年11月就開始共同開發(fā)薄膜硅型太陽能電池評測技術。

薄膜硅型太陽能電池大多重疊非晶硅膜和微晶硅膜后使用。其中，非晶硅膜存在的課題是照射光線后會劣化，從而導致光電轉(zhuǎn)換效率降低。光劣化的原因是在非晶硅膜成膜時導入的過量氫。在制造薄膜硅型太陽能電池時，一直對以非破壞性方式來分析氫含量從而控制光劣化的技術存在需求。

大日本網(wǎng)屏制造與岐阜大學開發(fā)出了測定SiH和SiH2等，從而可以掌握氫含量及其分布的技術。測定中采用了現(xiàn)有分光Ellipso式膜厚測定裝置的硬件。向現(xiàn)有的膜厚測定裝置中導入軟件，便可以在測定膜厚的同時分析氫含量。另外，用于氫含量分析的追加費用等尚未確定。

大日本網(wǎng)屏制造將在2010年6月30日～7月2日于太平洋橫濱會展中心舉行的太陽能電池展會“PVJapan2010”上，利用展板展示配備了此次技術的分光Ellipso式膜厚測定裝置。