IMEC使用高質(zhì)基底的大面積(70cm2)外延式太陽能電池已獲得16.3%的轉(zhuǎn)換效率。此前，低質(zhì)基底大面積電池曾獲得14.7%的轉(zhuǎn)換效率。IMEC已成功地在高質(zhì)高摻雜度的基底和低成本的高級冶金級多晶硅基底上，獲得了厚度僅為20 微米的高質(zhì)量外延式硅堆。

"在高質(zhì)基底上所獲得的16.3%的效率和低成本基底的14.7%的效率均表明工業(yè)級的效率是可以通過現(xiàn)有技術(shù)來實現(xiàn)的。"IMEC太陽能項目總監(jiān)Jef Poortmans表示，"通過使用銅基接觸方案，我們可以進一步提高轉(zhuǎn)換效率，使低成本晶片上生長外延式薄膜硅太陽能電池成為一項值得關(guān)注的工業(yè)技術(shù)。"

P+型背表面電場(BSF)、p型基底和n型前端發(fā)射極由化學(xué)氣相沉積形成。電池的捕光方式是在外延/基底部位，將前表面等離子結(jié)構(gòu)與內(nèi)部多孔硅布拉格反射鏡相結(jié)合，已達到捕光的目的。太陽能電池在該高質(zhì)基底上使用了銅基接觸方案。

低質(zhì)基底太陽能電池的金屬化工藝使用了絲網(wǎng)印刷技術(shù)，該步驟是形成擴散型前表電場及鍍氮化硅減反射膜之后的最后一步制造工藝。這一外延生長式晶片的等效基底可完全用在標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)化太陽能電池制作工藝中。