CPL Solar電鍍設(shè)備可為晶硅太陽能電池進行金屬鍍膜，該設(shè)備可通過超薄銀漿精細種子層提高電池效率，以便于批量生產(chǎn)。

目前大部分生產(chǎn)商通過絲印厚膜銀漿為晶硅太陽能電池進行正面電鍍。通常情況下，為了獲得足夠的導電能力，絲網(wǎng)印刷接觸指寬達120微米。為提高電池效率，則需增大電池的活性面積(包括半導體層和接觸層)，即減少底紋，這就要求要減少接觸指的寬度。但是若絲網(wǎng)印刷接觸指長寬比不當，將導致接觸指電阻增大，從而限制電池效率的提高。

CPL（Cell Plating Line）工藝使用超薄銀漿精細種子層，可以通過電鍍銀或者鎳-銅-錫來進一步增強接觸指的導電能力。這既能形成精細的接觸指，又能有效減少電阻。該工藝不僅能將電池效率提高0.5%，還能大幅減少銀漿的使用量。CPL設(shè)備可處理晶體硅電池的尺寸達6"x6"，可選金屬為Ag或者Ni-Cu-Sn。典型的Ag鍍膜厚度可達5um；Ni為1um，Cu為8um，Sn為3um。該設(shè)備的年產(chǎn)能可達45-50MW，并可根據(jù)客戶的需求進行定制化產(chǎn)能設(shè)計。

CPL設(shè)備配有自動電池裝載系統(tǒng)(棧式及槽式均可)。由于電池在CPL生產(chǎn)線上進行傳送時始終保持豎直狀態(tài)，其所受化學阻力的損害顯著小于水平傳送狀態(tài)下所受損害。CPL設(shè)備優(yōu)勢極為明顯，降低化學原料使用量的同時，大幅減少生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的廢水量。