高效晶體硅電池技術(shù)-去邊技術(shù)
來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)來(lái)源 日期:2012-9-6 作者:全球電池網(wǎng) 點(diǎn)擊:
產(chǎn)業(yè)化的周邊PN結(jié)去除方式是等離子體干法刻蝕,該方法技術(shù)成熟、產(chǎn)量大,但存在過(guò)刻、鉆刻及不均勻的現(xiàn)象,不僅影響電池的轉(zhuǎn)換效率,而且導(dǎo)致電池片蹦邊、色差與缺角等不良率上升。激光開(kāi)槽隔離技術(shù)根據(jù)PN結(jié)深度而在硅片邊緣開(kāi)一物理隔離槽,但與國(guó)外情況相反,據(jù)國(guó)內(nèi)使用情況來(lái)看電池效率反而不及等離子體刻蝕技術(shù),因此該方法有待進(jìn)一步研究。
目前行業(yè)出現(xiàn)的另外一種技術(shù)——化學(xué)腐蝕去邊與背面腐蝕拋光技術(shù)集刻蝕與去PSG一體,背面絨面的拋光極大降低了入射光的透射損失、提高電池紅光響應(yīng)。該方法工藝簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn)inline自動(dòng)化生產(chǎn),不存在“鉆刻”與刻蝕不均勻現(xiàn)象,工藝相對(duì)穩(wěn)定,因此盡管配套設(shè)備昂貴但仍引起業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。
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