美國研究人員最近研發(fā)出一種可批量生產(chǎn)砷化鎵晶片的技術(shù)，克服了成本上的瓶頸，從而使砷化鎵這種感光性能比硅更優(yōu)良的材料有望大規(guī)模用于半導體和太陽能相關(guān)產(chǎn)業(yè)。

據(jù)介紹，砷化鎵是一種感光性能比當前廣泛使用的硅更優(yōu)良的材料，理論上它可將接收到的陽光的４０％轉(zhuǎn)化為電能，轉(zhuǎn)化率約是硅的兩倍，因此衛(wèi)星和太空飛船等多采用砷化鎵作為太陽能電池板的材料。然而，傳統(tǒng)的砷化鎵晶片制造技術(shù)每次只能生成一層晶片，成本居高不下，限制了砷化鎵的廣泛應用。

美國伊利諾伊大學等機構(gòu)研究人員報告說，他們開發(fā)出的新技術(shù)可以生成由砷化鎵和砷化鋁交疊的多層晶體，然后利用化學物質(zhì)使砷化鎵層分離出來，可同時生成多層砷化鎵晶片，大大降低了成本。這些砷化鎵晶片可以像“蓋章”那樣安裝到玻璃或塑料等材料表面，然后可使用已有技術(shù)進行蝕刻，根據(jù)需要制造半導體電路或太陽能電池板。

不過，該技術(shù)目前還只能用于批量生產(chǎn)較小的砷化鎵晶片，如邊長５００微米的太陽能電池單元，這與現(xiàn)在廣泛使用的硅晶片相比還是太小。下一步研究將致力于利用新技術(shù)批量生產(chǎn)更大的砷化鎵晶片。