三洋電機(jī)以厚度僅為此前一半左右的98μm的HIT（Heterojunction with Intrinsic Thin layer）太陽(yáng)能電池，實(shí)現(xiàn)了22.8％的電池單元轉(zhuǎn)換效率。雖然厚度減半，但電池單元轉(zhuǎn)換效率卻只降低了0.2個(gè)百分點(diǎn)）。“由于可減少占成本一半的硅的使用量，開辟了HIT太陽(yáng)能電池低成本化的道路”（三洋電機(jī)研究開發(fā)本部太陽(yáng)能研究部部長(zhǎng)丸山英治）。只是量產(chǎn)日期未定。

此次的HIT太陽(yáng)能電池特性中，0.743的開路電壓（Voc）值較為突出。“這是結(jié)晶硅型太陽(yáng)能電池全球首次超過(guò)0.74。將會(huì)在專業(yè)學(xué)會(huì)上引起巨大反響”（丸山）。Voc較高的太陽(yáng)能電池由于溫度特性出色，實(shí)地發(fā)電量較多。除此之外的特性還有：短路電流（Isc）為38.8mA/cm2，曲線因數(shù)（FF）為79.1％，電池單元面積為100.3cm2。是由日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所測(cè)定的。

一般認(rèn)為，減少電池單元的厚度，則（1）硅底板表面載流子再結(jié)合的影響會(huì)導(dǎo)致Voc下降；（2）由于光吸收量減少，短路電流也會(huì)下降。

關(guān)于（1），硅底板表面堆疊非晶硅層的HIT太陽(yáng)能電池，原本為難以發(fā)生載流子再結(jié)合的結(jié)構(gòu)。利用這一特性，并減少了形成非晶硅層時(shí)的硅底板表面損傷等，從而提高了電壓。關(guān)于（2），通過(guò)提高陷光效應(yīng)（Light Trapping Effect）予以解決。具體而言，就是在降低非晶硅層及透明導(dǎo)電膜層的光吸收損失的同時(shí)，改善了表面的凹凸結(jié)構(gòu)。