日本的產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所太陽(yáng)能發(fā)電研究中心在太陽(yáng)能電池技術(shù)相關(guān)會(huì)議“第5屆成果報(bào)告會(huì)”（2009年6月22日～23日）上宣布，采用80～100μm厚度的薄硅晶圓制造的單晶硅型太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了15.9～17.3％。

　　該單元的電極采用網(wǎng)印以及名為“兩面同時(shí)燒結(jié)工藝”制作而成。2cm見(jiàn)方、100μm厚的硅單元的發(fā)電能力方面，效率為17.3％，開(kāi)放電壓為0.617V，短路電流為35.5mA/cm2，F(xiàn)F為0.789。2cm見(jiàn)方、80μm厚的單元的效率為15.9％，開(kāi)放電壓為0.614V，短路電流為32.8mA/cm2，F(xiàn)F為0.792。

　　原來(lái)有觀點(diǎn)認(rèn)為，如果將硅晶圓的厚度減至目前這種程度，轉(zhuǎn)換效率也會(huì)大幅下降，但該中心通過(guò)改進(jìn)基于表面凹凸加工的光密封技術(shù)及工藝，確保了較高的轉(zhuǎn)換效率。其中，100μm厚太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率與產(chǎn)綜研用于比較的180μm厚太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率幾乎相當(dāng)。

　　此次產(chǎn)綜研還介紹，100μm厚多晶硅型單元的轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了最初預(yù)測(cè)的數(shù)值，即約為15％。“由于多晶硅晶圓含有晶界等，因此與單晶硅相比，更難實(shí)現(xiàn)薄型化”（該中心結(jié)晶硅小組負(fù)責(zé)人坂田功）。

　　數(shù)十μm的硅晶圓一般情況下很容易破碎，不宜搬運(yùn)。為了解決這一問(wèn)題，產(chǎn)綜研“在德國(guó)還開(kāi)發(fā)出了30μm厚晶圓的處理裝置，所以搬運(yùn)不存在大問(wèn)題”